GD50FFX170C5SA, IGBT, 1700V/50A 6 in one-package, аналог для GD50FFT170C5S

Код товара: 3668
Артикул: GD50FFX170C5SA
Характеристики
Производитель STARPOWER
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
смотреть полные характеристики
7360,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
CC-82/500, Конденсатор: керамический, 82пФ, 500В, SL, ±10%, THT, 5мм
наличие: шт
Код товара: 26597
Артикул: CC-82/500
FF150R12KE3G, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 225А
наличие: шт
Код товара: 7134
Артикул: FF150R12KE3G
16360,00 
В корзину
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 300 Ом, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 2786
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 300 Ом, 5%
CMF2012F-121-2P-T, Синфазный индуктивный фильтр , 120 Ом, 0.35 А, 0.3 Ом, корпус 0805
наличие: шт
Код товара: 13360
Артикул: CMF2012F-121-2P-T, Синфазный индуктивный фильтр ,
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 3.9 кОм, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 3904
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 3.9 кОм, 5%
BV 201 0142, Трансформатор: залитый, 0,35ВА, 230ВAC, 6В, 6В, 29мА, 29мА, 25г
наличие: шт
Код товара: 8990
Артикул: BV 201 0142
1100,00 
В корзину
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 820 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 34204
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 820 кОм, 5%