Каталог

GD400HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 630 А, 2 В, 2.083 кВт, 150 °C, Module

Код товара: 26579
Артикул: N/A
В сравнение В избранное
GD400HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 630 А, 2 В, 2.083 кВт, 150 °C, Module
GD400HFY120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 630 А, 2 В, 2.083 кВт, 150 °C, Module
Характеристики
Производитель STARPOWER
Collector Emitter Saturation Voltage 2В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 630А
DC Ток Коллектора 630А
смотреть полные характеристики
26350,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 2В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 630А
DC Ток Коллектора 630А
Power Dissipation 2.083кВт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 2В
Рассеиваемая Мощность 2.083кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 4.54