GD300HFX170C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 493 А, 1.85 В, 1.829 кВт, 150 °C, Module

Код товара: 26506
Артикул: GD300HFX170C2S
Характеристики
Производитель STARPOWER
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
Continuous Collector Current 493А
DC Ток Коллектора 493А
смотреть полные характеристики
31990,00 
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package 62мм

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
Continuous Collector Current 493А
DC Ток Коллектора 493А
Power Dissipation 1.829кВт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Рассеиваемая Мощность 1.829кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 910
PZT2222AT1G, GP BJT NPN 40V 0.6A, [SOT-223]
наличие: шт
Код товара: 35732
Артикул: PZT2222AT1G