GD200HFU120C2S, Модуль IGBT 1200В 262А

Код товара: 7819
Артикул: GD200HFU120C2S
Характеристики
Производитель STARPOWER
Collector Emitter Saturation Voltage
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 262А
DC Ток Коллектора 262А
смотреть полные характеристики
10360,00 
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Модуль IGBT 1200В 262А

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 262А
DC Ток Коллектора 262А
Power Dissipation 1.315кВт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Максимальная Температура Перехода Tj 125°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Рассеиваемая Мощность 1.315кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ NPT Ultra Fast IGBT
Вес, г 340