GD100HFX170C1S, IGBTмодуль, Low Loss, замена для SKM100GB17E4, аналог CM100DY-34A, SKM145GB176D

Код товара: 3280
Артикул: GD100HFX170C1S
Характеристики
Производитель STARPOWER
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
смотреть полные характеристики
5620,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули

Модуль IGBT 1700В 168A

Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
Continuous Collector Current 168А
DC Ток Коллектора 168А
Power Dissipation 632Вт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Рассеиваемая Мощность 632Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
GD400HFX170C2S, Модуль IGBT 1700В 648A
наличие: шт
Код товара: 8271
Артикул: GD400HFX170C2S
15130,00 
В корзину
GD200HFU120C2S, Модуль IGBT 1200В 262А
наличие: шт
Код товара: 7819
Артикул: GD200HFU120C2S
10360,00 
В корзину