Home
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
IGBT
FS20R06VE3B2BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 25 А, 1.55 В, 71.5 Вт, 150 °C, Module

FS20R06VE3B2BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 25 А, 1.55 В, 71.5 Вт, 150 °C, Module

Код товара: 24586

Артикул: FS20R06VE3B2BOMA1

FS20R06VE3B2BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 25 А, 1.55 В, 71.5 Вт, 150 °C, Module

Характеристики

Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage	1.55В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	25А
DC Ток Коллектора	25А

смотреть полные характеристики

5410,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

TRANSISTOR, IGBT MODULE, 600V, 25A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:25A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.55V; Power Dissipation Pd:71.5W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:-; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:Easy750 Series; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage	1.55В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	25А
DC Ток Коллектора	25А
Power Dissipation	71.5Вт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	Six Pack(Full Bridge)
Линейка Продукции	Easy750
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.55В
Полярность Транзистора	N Канал
Рассеиваемая Мощность	71.5Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 3(Trench/Field Stop)
Transistor Polarity	N Channel; DC Collector Current
Вес, г	18.51