FS200R12N3T7BPSA1, FS200R12N3T7BPSA1 IGBT, 200 A 1200 V

Код товара: 24361
Артикул: FS200R12N3T7BPSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 200 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 20 mW
смотреть полные характеристики
78370,00 
наличие:
Выберите количество:
SemiconductorsDiscrete SemiconductorsIGBTs

The Infineon FS200 is a EconoPACK 3 module with IGBT and emitter controlled diode and NTC. Low VCEsat

Основные параметры
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 200 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 20 mW
Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.55 V
Configuration: 6-Pack
Continuous Collector Current at 25 C: 200 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 10
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Packaging: Tray
Part # Aliases: FS200R12N3T7 SP005337556
Product Category: IGBT Modules
Product Type: IGBT Modules
Product: IGBT Silicon Modules
Series: FSXR12N3X7G
Subcategory: IGBTs
NDTD2412C
наличие: шт
Код товара: 35124
Артикул:
2360,00 
В корзину
047706.3MXP, Cartridge Fuses 500Vac 400Vdc TL 5X20 6.3A
наличие: шт
Код товара: 38939
Артикул: 047706.3MXP
NDL1212SC
наличие: шт
Код товара: 35070
Артикул:
3140,00 
В корзину
NMV0515SC
наличие: шт
Код товара: 35356
Артикул:
PTH08080WAD
наличие: шт
Код товара: 35588
Артикул:
4090,00 
В корзину
LM2591HVS-ADJ
наличие: шт
Код товара: 31338
Артикул:
1820,00 
В корзину
NMA1215SC
наличие: шт
Код товара: 35178
Артикул:
2770,00 
В корзину
LM2585T-ADJ
наличие: шт
Код товара: 31266
Артикул:
2250,00 
В корзину
FP75R12KT4BOSA1
наличие: шт
Код товара: 23610
Артикул:
28530,00 
В корзину
051406.3MXP, Fuse Cartridge Fast Acting 6.3A 500V Holder Cartridge 6.3 X 32mm Ceramic Bulk
наличие: шт
Код товара: 39133
Артикул: 051406.3MXP