| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Высота | 12 mm |
| Длина | 35.6 mm |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A
| Основные параметры | |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Высота | 12 mm |
| Длина | 35.6 mm |
| Другие названия товара № | FS10R06VE3BOMA1 SP000100333 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Конфигурация | Hex |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 16 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 40 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | EASY750 |
| Ширина | 25.4 mm |
| Вес, г | 10 |
