FP75R12KT4BOSA1

Код товара: 23610
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 75 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Number of Transistors 7
смотреть полные характеристики
28530,00 
наличие:
Выберите количество:
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 355 W, maximum gate threshold voltage is 6.
Основные параметры
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 75 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Number of Transistors 7
Package Type EconoPIM
Automotive No
Channel Type N
Configuration Array 7
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 1200
Maximum Continuous Collector Current (A) 75
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) 0.1
Maximum Gate Emitter Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 385
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Screw
Packaging Tray
Part Status Active
PCB changed 35
Pin Count 35
PPAP No
Supplier Package ECONO3-3
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) 1.85
Вес, г 5.42
NMG0512SC
наличие: шт
Код товара: 35214
Артикул:
3860,00 
В корзину
NDL1205SC
наличие: шт
Код товара: 35052
Артикул:
3140,00 
В корзину
NDTD2412C
наличие: шт
Код товара: 35124
Артикул:
2360,00 
В корзину
047706.3MXP, Cartridge Fuses 500Vac 400Vdc TL 5X20 6.3A
наличие: шт
Код товара: 38939
Артикул: 047706.3MXP
NDL1212SC
наличие: шт
Код товара: 35070
Артикул:
3140,00 
В корзину
NMV0515SC
наличие: шт
Код товара: 35356
Артикул:
PTH08080WAD
наличие: шт
Код товара: 35588
Артикул:
4090,00 
В корзину
LM2591HVS-ADJ
наличие: шт
Код товара: 31338
Артикул:
1820,00 
В корзину
NMA1215SC
наличие: шт
Код товара: 35178
Артикул:
2770,00 
В корзину
LM2585T-ADJ
наличие: шт
Код товара: 31266
Артикул:
2250,00 
В корзину