Каталог

FP75R12KT3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 75 А, 1.7 В, 355 Вт, 125 °C

Код товара: 23157
Артикул: FP75R12KT3BOSA1
В сравнение В избранное
FP75R12KT3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 75 А, 1.7 В, 355 Вт, 125 °C
FP75R12KT3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 75 А, 1.7 В, 355 Вт, 125 °C
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 105 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 355 W
смотреть полные характеристики
51130,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives medical application etc.
Основные параметры
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 105 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 355 W
Number of Transistors 7
Package Type EconoPIM
Вес, г 336.6
FP50R12KT4GBOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
наличие: шт
FP50R12KT4GBOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Код товара: 22746
Артикул: FP50R12KT4GBOSA1
36150,00 ₽
В корзину
FP50R12KT3BOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
наличие: шт
FP50R12KT3BOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Код товара: 22608
Артикул: FP50R12KT3BOSA1
42230,00 ₽
В корзину