Каталог

FP50R12KS4CBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 70 А, 3.2 В, 360 Вт, 125 °C

Код товара: 22540
Артикул: FP50R12KS4CBOSA1
В сравнение В избранное
FP50R12KS4CBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 70 А, 3.2 В, 360 Вт, 125 °C
FP50R12KS4CBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 70 А, 3.2 В, 360 Вт, 125 °C
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage 3.2В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 70А
DC Ток Коллектора 70А
смотреть полные характеристики
55930,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

FP50R12KS4C, SP000100410

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 3.2В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 70А
DC Ток Коллектора 70А
Power Dissipation 360Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции EconoPIM
Максимальная Рабочая Температура 125 C
Максимальная Температура Перехода Tj 125 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 3.2В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 360Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 2 Fast
Вес, г 0.1
SMW22HC001-10
наличие: 1 шт
SMW22HC001-10
Код товара: 37588
Артикул: 48782817599d
871,43 ₽
В корзину
SMW22HC001-20
наличие: 1 шт
SMW22HC001-20
Код товара: 38721
Артикул: 351dcfc431f7
677,00 ₽
В корзину
FP50R12KE3BOSA1, IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
наличие: шт
FP50R12KE3BOSA1, IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
Код товара: 22470
Артикул:
39100,00 ₽
В корзину