Каталог

FP50R06W2E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 65 А, 1.45 В, 175 Вт, 150 °C

Код товара: 22264
Артикул: FP50R06W2E3BOMA1
В сравнение В избранное
FP50R06W2E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 65 А, 1.45 В, 175 Вт, 150 °C
FP50R06W2E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 65 А, 1.45 В, 175 Вт, 150 °C
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 65 A
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
Maximum Power Dissipation 175 W
смотреть полные характеристики
13020,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.
Основные параметры
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 65 A
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
Maximum Power Dissipation 175 W
Number of Transistors 7
Вес, г 0.41