| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Pd - рассеивание мощности | 175 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | SP000375909 FP50R06W2E3BOMA1 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Основные параметры | |
| Pd - рассеивание мощности | 175 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | SP000375909 FP50R06W2E3BOMA1 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Коммерческое обозначение | EasyPIM |
| Конфигурация | IGBT-Inverter |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.45 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 65 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 15 |
| Серия | Trench/Fieldstop IGBT3 - E3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | Module |
| Вес, г | 39 |
