Каталог

FP35R12KT4B15BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Seven Pack, 35 А, 1.85 В, 210 Вт, 150 °C, Module

Код товара: 21586
Артикул: N/A
В сравнение В избранное
FP35R12KT4B15BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Seven Pack, 35 А, 1.85 В, 210 Вт, 150 °C, Module
FP35R12KT4B15BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Seven Pack, 35 А, 1.85 В, 210 Вт, 150 °C, Module
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 35А
DC Ток Коллектора 35А
смотреть полные характеристики
27920,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

The Infineon EconoPIM 2 1200 V, 35 A three phase PIM IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode and NTC.

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 35А
DC Ток Коллектора 35А
Power Dissipation 210Вт
Выводы БТИЗ Solder
Конфигурация БТИЗ Seven Pack
Линейка Продукции EconoPIM 2
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Рассеиваемая Мощность 210Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 35 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 210 W
Package Type AG-ECONO2C-211
Вес, г 250