Home
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
IGBT
FP35R12KT4B15BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Seven Pack, 35 А, 1.85 В, 210 Вт, 150 °C, Module

FP35R12KT4B15BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Seven Pack, 35 А, 1.85 В, 210 Вт, 150 °C, Module

Код товара: 21586

Артикул: N/A

Характеристики

Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	35А
DC Ток Коллектора	35А

27920,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

The Infineon EconoPIM 2 1200 V, 35 A three phase PIM IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode and NTC.

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	35А
DC Ток Коллектора	35А
Power Dissipation	210Вт
Выводы БТИЗ	Solder
Конфигурация БТИЗ	Seven Pack
Линейка Продукции	EconoPIM 2
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.85В
Рассеиваемая Мощность	210Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	35 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	210 W
Package Type	AG-ECONO2C-211
Вес, г	250