Home
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
IGBT
FP30R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 37 А, 1.55 В, 115 Вт, 600 В, Module

FP30R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 37 А, 1.55 В, 115 Вт, 600 В, Module

Код товара: 21446

Артикул: FP30R06W1E3BOMA1

Характеристики

Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	37 A
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
Maximum Power Dissipation	115 W

9590,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.

Основные параметры
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	37 A
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
Maximum Power Dissipation	115 W
Number of Transistors	7
Вес, г	35.23