FP15R12W1T4B3BOMA1

Код товара: 21099
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 15А
DC Ток Коллектора 15А
смотреть полные характеристики
12110,00 
наличие:
Выберите количество:
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 15А
DC Ток Коллектора 15А
Power Dissipation 130Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции EasyPIM
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Максимальная Температура Перехода Tj 175°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Рассеиваемая Мощность 130Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)
Channel Type N
Configuration Common Collector
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 28 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 130 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type PCB Mount
Package Type EASY1B
Pin Count 23
Switching Speed 1MHz
Transistor Configuration 3 Phase
Вес, г 0.16
FS950R08A6P2BBPSA1, IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SI
наличие: шт
Код товара: 25777
Артикул: FS950R08A6P2BBPSA1
158900,00 
В корзину
FP100R06KE3, IGBT Modules N-CH 600V 100A
наличие: шт
Код товара: 20191
Артикул: FP100R06KE3
41730,00 
В корзину
FP35R12KT4PBPSA1, IGBT Modules LOW POWER ECONO
наличие: шт
Код товара: 21790
Артикул: FP35R12KT4PBPSA1
36620,00 
В корзину