FP15R12W1T4B3BOMA1

Код товара: 21099

Артикул: N/A

Характеристики

Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	15А
DC Ток Коллектора	15А

смотреть полные характеристики

12110,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	15А
DC Ток Коллектора	15А
Power Dissipation	130Вт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции	EasyPIM
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Максимальная Температура Перехода Tj	175°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.85В
Рассеиваемая Мощность	130Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)
Channel Type	N
Configuration	Common Collector
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	28 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	130 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	PCB Mount
Package Type	EASY1B
Pin Count	23
Switching Speed	1MHz
Transistor Configuration	3 Phase
Вес, г	0.16