FP15R12W1T4, IGBT Modules IGBT-MODULE

Код товара: 21035
Артикул: FP15R12W1T4
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.85 V
Configuration: 3-Phase Inverter
смотреть полные характеристики
13430,00 
наличие:
Выберите количество:
SemiconductorsDiscrete SemiconductorsTransistorsIGBT Modules
Основные параметры
Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.85 V
Configuration: 3-Phase Inverter
Continuous Collector Current at 25 C: 28 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 24
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Chassis Mount
Package / Case: EASY1B
Packaging: Tray
Part # Aliases: SP000364071 FP15R12W1T4BOMA1
Pd - Power Dissipation: 130 W
Product Category: IGBT Modules
Product Type: IGBT Modules
Product: IGBT Silicon Modules
Series: Trenchstop IGBT4-T4
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Tradename: EasyPIM
Вес, г 24
FS950R08A6P2BBPSA1, IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SI
наличие: шт
Код товара: 25777
Артикул: FS950R08A6P2BBPSA1
158900,00 
В корзину
FP10R06W1E3, IGBT Modules N-CH 600V 16A
наличие: шт
Код товара: 20480
Артикул: FP10R06W1E3
10140,00 
В корзину
FP150R12KT4P, IGBT Modules LOW POWER ECONO
наличие: шт
Код товара: 20897
Артикул: FP150R12KT4P
57660,00 
В корзину