FP15R12W1T4, IGBT Modules IGBT-MODULE

Код товара: 21035
Артикул: FP15R12W1T4
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.85 V
Configuration: 3-Phase Inverter
смотреть полные характеристики
13430,00 
наличие:
Выберите количество:
SemiconductorsDiscrete SemiconductorsTransistorsIGBT Modules
Основные параметры
Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.85 V
Configuration: 3-Phase Inverter
Continuous Collector Current at 25 C: 28 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 24
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Chassis Mount
Package / Case: EASY1B
Packaging: Tray
Part # Aliases: SP000364071 FP15R12W1T4BOMA1
Pd - Power Dissipation: 130 W
Product Category: IGBT Modules
Product Type: IGBT Modules
Product: IGBT Silicon Modules
Series: Trenchstop IGBT4-T4
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Tradename: EasyPIM
Вес, г 24
B66358G1000X187
наличие: шт
Код товара: 17135
Артикул:
ADM211EARSZ-REEL
наличие: 0 шт
Код товара: 37171
Артикул: 02ad7f3afaac
X4C35J1-03G
наличие: 5474 шт
Код товара: 38907
Артикул: e422e061ae2c
SMW15HC001-20
наличие: 2 шт
Код товара: 38709
Артикул: 2cc3e262ca3c
DS3487M/NOPB
наличие: 0 шт
Код товара: 38366
Артикул: 622b161f79dc
AIUR-16-271K
наличие: 400 шт
Код товара: 36903
Артикул: cb6f11e85d93