Каталог

FP10R12W1T4BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 20 А, 1.85 В, 105 Вт, 150 °C

Код товара: 20688
Артикул: FP10R12W1T4BOMA1
В сравнение В избранное
FP10R12W1T4BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 20 А, 1.85 В, 105 Вт, 150 °C
FP10R12W1T4BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 20 А, 1.85 В, 105 Вт, 150 °C
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Base Product Number FP10R12 ->
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
смотреть полные характеристики
8490,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеIGBTsБТИЗ Массивы и Модули

Модуль IGBT Trench Field Stop Трехфазный инвертор 1200 В, 20 А, 105 Вт Модуль для монтажа на шасси

Основные параметры
Base Product Number FP10R12 ->
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 600pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C
Package Bulk
Package / Case Module
Power - Max 105W
REACH Status REACH Unaffected
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V | 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 20 A
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
Maximum Power Dissipation 105 W
Number of Transistors 7
Вес, г 35.38
FS75R12KE3BOSA1
наличие: шт
FS75R12KE3BOSA1
Код товара: 5245
Артикул:
10980,00 ₽
В корзину
MJD45H11G, Транзистор, PNP, 8A, 80V, [D-PAK]
наличие: шт
MJD45H11G, Транзистор, PNP, 8A, 80V, [D-PAK]
Код товара: 33470
Артикул: MJD45H11G
98,00 ₽
В корзину
MJE2955T, PNP биполярный транзистор, [TO-220]
наличие: шт
MJE2955T, PNP биполярный транзистор, [TO-220]
Код товара: 33814
Артикул: MJE2955T
90,00 ₽
В корзину
FP50R12KE3BOSA1, IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
наличие: шт
FP50R12KE3BOSA1, IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module
Код товара: 22470
Артикул:
39100,00 ₽
В корзину