FP10R12W1T4B3BOMA1, IGBT MODULE, 1.2KV, 20A, 105W

Код товара: 20619
Артикул: FP10R12W1T4B3BOMA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 20А
DC Ток Коллектора 20А
смотреть полные характеристики
8490,00 
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули
Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 20А
DC Ток Коллектора 20А
Power Dissipation 105Вт
Выводы БТИЗ Solder
Конфигурация БТИЗ PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции EasyPIM Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Рассеиваемая Мощность 105Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)
Вес, г 374.7