Производитель | ON Semiconductor*** |
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1700 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 20 |
Основные параметры | |
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1700 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 20 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 5.5 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 |
Корпус | TO-264 |
Вес, г | 10 |