Производитель | ON Semiconductor*** |
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 700 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 12 |
Основные параметры | |
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 700 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 12 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 130 |
Корпус | TO-3P |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 400В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3P |
Рассеиваемая Мощность | 130Вт |
Полярность Транзистора | npn |
DC Ток Коллектора | 12А |
DC Усиление Тока hFE | 6hFE |
Частота Перехода ft | 4МГц |
Вес, г | 6.5 |