FF900R12IP4BOSA2

Код товара: 20119
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 900 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 5.1 kW
смотреть полные характеристики
119400,00 
наличие:
Выберите количество:
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, high power converters, motor drives, traction drives, ups systems, wind turbines etc.
Основные параметры
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 900 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 5.1 kW
Number of Transistors 2
Вес, г 1
C315C471K2R5TA7301, Ceramic Capacitor, 470pF, 200V, 10%
наличие: шт
Код товара: 35710
Артикул: C315C471K2R5TA7301
C317C100K2G5TA7301, Ceramic Capacitor, 10pF, 200V, 10%
наличие: шт
Код товара: 35728
Артикул: C317C100K2G5TA7301
FP75R12KT3, IGBT Modules N-CH 1.2KV 105A
наличие: шт
Код товара: 23018
Артикул: FP75R12KT3
45450,00 
В корзину
FP50R12KE3, IGBT Modules 1200V 50A PIM
наличие: шт
Код товара: 22328
Артикул: FP50R12KE3
41180,00 
В корзину
FP150R12KT4, IGBT Modules LOW POWER ECONO
наличие: шт
Код товара: 20827
Артикул: FP150R12KT4
67390,00 
В корзину
MABA-007569-ETK42T
наличие: шт
Код товара: 24582
Артикул:
FP75R12KE3BOSA1
наличие: шт
Код товара: 22950
Артикул:
45450,00 
В корзину
FP100R12KT4, IGBT Modules IGBT-MODULE
наличие: шт
Код товара: 20261
Артикул: FP100R12KT4
45990,00 
В корзину