Каталог

FF75R12RT4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 395 Вт, 1.2 кВ, Module

Код товара: 19707
Артикул: N/A
В сравнение В избранное
FF75R12RT4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 395 Вт, 1.2 кВ, Module
FF75R12RT4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 395 Вт, 1.2 кВ, Module
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 75 A
смотреть полные характеристики
14820,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Основные параметры
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 75 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 395 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type 34MM Module
Pin Count 7
Transistor Configuration Series
Вес, г 181.3