FF400R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 400 А

Код товара: 7351
Артикул: FF400R12KE3HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Корпус 62 mm
Base Product Number FF400R12 ->
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 580A
смотреть полные характеристики
21800,00 
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 400 А

Основные параметры
Корпус 62 mm
Base Product Number FF400R12 ->
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 580A
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 28nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40В°C ~ 125В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case Module
Power - Max 2000W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series C ->
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V | 400A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Вес, г 365
PM50RL1B120#350G, IGBT модуль 350G 1200В 50A 5 поколение L1 серия
наличие: шт
Код товара: 4306
Артикул: PM50RL1B120#350G
10310,00 
В корзину
CM450DX-34T#310G, IGBT модуль 1700В 450А T серия NX типа
наличие: шт
Код товара: 2124
Артикул: CM450DX-34T#310G
10380,00 
В корзину