Каталог

FF300R12KT3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 480 А, 1.7 В, 1.45 кВт, 125 °C, Module

Код товара: 18473
Артикул: N/A
В сравнение В избранное
FF300R12KT3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 480 А, 1.7 В, 1.45 кВт, 125 °C, Module
FF300R12KT3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 480 А, 1.7 В, 1.45 кВт, 125 °C, Module
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 480А
DC Ток Коллектора 480А
смотреть полные характеристики
47570,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

FF300R12KT3, SP000100790

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 480А
DC Ток Коллектора 480А
Power Dissipation 1.45кВт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Dual
Линейка Продукции 62mm C
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Максимальная Температура Перехода Tj 125°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.7В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 1.45кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 3(Trench/Field Stop)
Base Product Number FF300R12 ->
Configuration 2 Independent
Current - Collector (Ic) (Max) 480A
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 21nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40В°C ~ 125В°C
Package Bulk
Package / Case Module
Power - Max 1450W
REACH Status REACH Unaffected
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V | 300A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Вес, г 0.34
КТ3102АМ, Биполярный транзистор, NPN, 50В, 0.2А, 0.25Вт, 200МГц, h21e=100…250 [КТ-26 / TO-92] (=BC547A)
наличие: шт
КТ3102АМ, Биполярный транзистор, NPN, 50В, 0.2А, 0.25Вт, 200МГц, h21e=100…250 [КТ-26 / TO-92] (=BC547A)
Код товара: 1242
Артикул: КТ3102АМ
25,00 ₽
В корзину
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 82 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 82 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
Код товара: 33770
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 82 кОм, 5%
7,00 ₽
В корзину
C2023J5003AHF
наличие: 1720 шт
C2023J5003AHF
Код товара: 37985
Артикул: a90b4d220f75
0,00 ₽
В корзину
C3337J5003A
наличие: 372 шт
C3337J5003A
Код товара: 38851
Артикул: 5f374446714c
0,00 ₽
В корзину
М2000НМ, 28х16х9, Сердечник ферритовый кольцевой
наличие: шт
М2000НМ, 28х16х9, Сердечник ферритовый кольцевой
Код товара: 3480
Артикул: М2000НМ, 28х16х9
220,00 ₽
В корзину
Зуммер магнитоэлектрический с генератором, размер 12x 8, напряжение 1.5В, частота 3.1кГц, контакты 2P7.6, марка HCM1201BX
наличие: шт
Зуммер магнитоэлектрический с генератором, размер 12x 8, напряжение 1.5В, частота 3.1кГц, контакты 2P7.6, марка HCM1201BX
Код товара: 20398
Артикул: згм 12x 8\ 1,5\\3,1\2P7,6\HCM1201BX\
130,00 ₽
В корзину
Зуммер магнитоэлектрический с генератором, размер 10x 5, напряжение 9В, частота 2.3кГц, контакты 2P5, марка HCM1009
наличие: шт
Зуммер магнитоэлектрический с генератором, размер 10x 5, напряжение 9В, частота 2.3кГц, контакты 2P5, марка HCM1009
Код товара: 20183
Артикул: згм 10x 5\ 9\\2,3\2P5\HCM1009\
99,00 ₽
В корзину
FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150 °C, Module
наличие: шт
FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150 °C, Module
Код товара: 17496
Артикул: FF200R06KE3HOSA1
29190,00 ₽
В корзину
Тиристор 50 2АSD1КУ201Г[2У201Г]
наличие: шт
Тиристор 50 2АSD1КУ201Г[2У201Г]
Код товара: 21173
Артикул:
180,00 ₽
В корзину
FF300R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 370 А, 3.2 В, 1.95 кВт, 1.2 кВ, Module
наличие: шт
FF300R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 370 А, 3.2 В, 1.95 кВт, 1.2 кВ, Module
Код товара: 18263
Артикул: FF300R12KS4HOSA1
52810,00 ₽
В корзину