FF300R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 370 А, 3.2 В, 1.95 кВт, 1.2 кВ, Module

Код товара: 18263
Артикул: FF300R12KS4HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 370 A
смотреть полные характеристики
52810,00 
наличие:
Выберите количество:
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Основные параметры
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 370 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +125 °C
Maximum Power Dissipation 1950 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type 62MM Module
Pin Count 3
Transistor Configuration Series
Вес, г 366
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 82 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 33770
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 82 кОм, 5%
C2023J5003AHF
наличие: 1720 шт
Код товара: 37985
Артикул: a90b4d220f75
C3337J5003A
наличие: 372 шт
Код товара: 38851
Артикул: 5f374446714c
М2000НМ, 28х16х9, Сердечник ферритовый кольцевой
наличие: шт
Код товара: 3480
Артикул: М2000НМ, 28х16х9
Тиристор 50  2АSD1КУ201Г[2У201Г]
наличие: шт
Код товара: 21173
Артикул: