FF300R12KE3HOSA1, Модуль IGBT 1200V 440A 1450Вт

Код товара: 1124
Артикул: FF300R12KE3HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 440
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1450
смотреть полные характеристики
16700,00 
наличие:
Выберите количество:
Описание Транзистор БТИЗ FF300R12KE3HOSA1 производства INFINEON – мощный полупроводниковый компонент, предназначенный для использования в силовой электронике. Этот IGBT транзистор обладает высокой токонесущей способностью 300 А и напряжением коллектор-эмиттер 1 200 В, что позволяет ему справляться с серьезными нагрузками. Мощность устройства достигает 1 450 Вт, обеспечивая надежную и стабильную работу в широком диапазоне применений. Монтаж производится с помощью винтов, что облегчает установку и обеспечивает хороший тепловой контакт. Корпус AG-62MM-1 обеспечивает достаточное охлаждение и защиту компонента. Используйте код FF300R12KE3HOSA1 для поиска и заказа данного транзистора без ошибок. Характеристики

Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT
Монтаж винтами
Ток коллектора, А 300
Напряжение коллектор-эмиттер, В 1200
Мощность, Вт 1450
Корпус AG-62MM-1
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 440
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1450
Рабочая температура (Tj), °C -40…+125
Корпус AG-62MM
Вес, г 340
FF150R12RT4HOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray
наличие: шт
Код товара: 17284
Артикул:
19070,00 
В корзину
FF450R12KE7HPSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 450A 7-Pin Tray
наличие: шт
Код товара: 18954
Артикул: FF450R12KE7HPSA1
51620,00 
В корзину
FF300R17KE3, IGBT Modules N-CH 1.7KV 404A
наличие: шт
Код товара: 18816
Артикул: FF300R17KE3
60100,00 
В корзину
F475R06W1E3BOMA1, Trans IGBT Module N-CH 600V 100A 275W 15-Pin EASY1B-1 Tray
наличие: шт
Код товара: 16846
Артикул: F475R06W1E3BOMA1
15370,00 
В корзину