| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 3.2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 275А |
| DC Ток Коллектора | 275А |
FF200R12KS4, SP000100707
| Основные параметры | |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 3.2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 275А |
| DC Ток Коллектора | 275А |
| Power Dissipation | 1.4кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Dual |
| Линейка Продукции | 62mm C |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 3.2В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Рассеиваемая Мощность | 1.4кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 2 Fast |
| Вес, г | 363.4 |
