FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150 °C, Module

Код товара: 17496
Артикул: FF200R06KE3HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage 1.45В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 260А
DC Ток Коллектора 260А
смотреть полные характеристики
29190,00 
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

FF200R06KE3, SP000085283

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 1.45В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 260А
DC Ток Коллектора 260А
Power Dissipation 680Вт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Dual(Half Bridge)
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Максимальная Температура Перехода Tj 150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер 600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.45В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 680Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 3(Trench/Field Stop)
Base Product Number FF200R06 ->
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 260A
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case Module
Power - Max 680W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series C ->
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V | 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Вес, г 0.1