![FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150 °C, Module](https://euroimport-it.com/wp-content/uploads/2024/04/doc004812601.jpg)
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.45В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 260А |
| DC Ток Коллектора | 260А |
FF200R06KE3, SP000085283
| Основные параметры | |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.45В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 260А |
| DC Ток Коллектора | 260А |
| Power Dissipation | 680Вт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.45В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Рассеиваемая Мощность | 680Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
| Base Product Number | FF200R06 -> |
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 260A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 680W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | C -> |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V | 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Вес, г | 0.1 |
![КТ3102АМ, Биполярный транзистор, NPN, 50В, 0.2А, 0.25Вт, 200МГц, h21e=100…250 [КТ-26 / TO-92] (=BC547A)](https://euroimport-it.com/wp-content/uploads/2024/04/doc005299941-9.jpg)
