FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт

Код товара: 1100

Артикул: FF150R12RT4HOSA1

FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт

Характеристики

Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура	полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	790

смотреть полные характеристики

18800,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.

Основные параметры
Структура	полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	790
Рабочая температура (Tj), °C	-40…+150
Корпус	AG-34MM
Вес, г	160