FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт

Код товара: 1100
Артикул: FF150R12RT4HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 790
смотреть полные характеристики
18800,00 
наличие:
Выберите количество:
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 790
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус AG-34MM
Вес, г 160
FF150R12RT4HOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray
наличие: шт
Код товара: 17284
Артикул:
19070,00 
В корзину
FF450R12KE7HPSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 450A 7-Pin Tray
наличие: шт
Код товара: 18954
Артикул: FF450R12KE7HPSA1
51620,00 
В корзину
FF300R17KE3, IGBT Modules N-CH 1.7KV 404A
наличие: шт
Код товара: 18816
Артикул: FF300R17KE3
60100,00 
В корзину
F475R06W1E3BOMA1, Trans IGBT Module N-CH 600V 100A 275W 15-Pin EASY1B-1 Tray
наличие: шт
Код товара: 16846
Артикул: F475R06W1E3BOMA1
15370,00 
В корзину
DFI600SU17DF1, Модули IGBT, 600 A, 1700 V 62mm, Single
наличие: шт
Код товара: 3034
Артикул: DFI600SU17DF1
10430,00 
В корзину