FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт

Код товара: 1100
Артикул: FF150R12RT4HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 790
смотреть полные характеристики
18800,00 
наличие:
Выберите количество:
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 790
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус AG-34MM
Вес, г 160
LM2575D2T-ADJR4G
наличие: шт
Код товара: 30780
Артикул:
TNY268GN-TL, IC: PMIC; AC/DC switcher,SMPS controller; Uin: 85?265V; SMD-8B
наличие: шт
Код товара: 38933
Артикул:
FF300R12KE3HOSA1, Модуль IGBT 1200V 440A 1450Вт
наличие: шт
Код товара: 1124
Артикул: FF300R12KE3HOSA1
16700,00 
В корзину
Тиристор BT149D.126
наличие: шт
Код товара: 11802
Артикул: BT149D.126
DFI150HF17DF1, Модули IGBT, 150 A, 1700 V 62mm, Half Bridge
наличие: шт
Код товара: 2609
Артикул: DFI150HF17DF1
7590,00 
В корзину