FF150R12KS4HOSA1

Код товара: 17137
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 225 A
смотреть полные характеристики
19980,00 
наличие:
Выберите количество:
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Основные параметры
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 225 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +125 °C
Maximum Power Dissipation 1250 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type 62MM Module
Pin Count 7
Switching Speed 1MHz
Transistor Configuration Series
X3C30F1-20S
наличие: 5867 шт
Код товара: 37752
Артикул: 01ef5d81a901
24-7068-6442
наличие: 10 шт
Код товара: 38207
Артикул: 0c7a33d5882f
529191,00 
В корзину
B66417U0100K187
наличие: шт
Код товара: 17847
Артикул:
BLM18KG101TN1D
наличие: шт
Код товара: 20047
Артикул:
X3C70F1-20S
наличие: 674 шт
Код товара: 38901
Артикул: f4e5bf11dab4