FF150R12KS4HOSA1

Код товара: 17137
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 225 A
смотреть полные характеристики
19980,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Основные параметры
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 225 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +125 °C
Maximum Power Dissipation 1250 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type 62MM Module
Pin Count 7
Switching Speed 1MHz
Transistor Configuration Series
X4C20J1-20G
наличие: 569 шт
Код товара: 37923
Артикул: 507f78510563
X4C35J1-05G
наличие: 4044 шт
Код товара: 37941
Артикул: af0da55b61de
X4C60J1-20G
наличие: 939 шт
Код товара: 38015
Артикул: 07c59ca0595e
DC1722J5005AHF
наличие: 2774 шт
Код товара: 38914
Артикул: be1f49f9b1b8