FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

Код товара: 1076
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 555
смотреть полные характеристики
11700,00 
наличие:
Выберите количество:
Описание Модуль Trans IGBT N-CH 1200 В 100 А 555000 мВт 7-к Характеристики

Категория Транзистор
Тип модуль
Вид IGBT
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 555
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус AG-34MM
Вес, г 160
Мультиплексор Raisecom OPCOM100-4-OTM-3R-03-S
наличие: шт
Код товара: 23589
Артикул: OPCOM100-4-OTM-3R-03-S
631847,00 
В корзину
FD312S, 600V, 3A, 1.4W Тиристор TO-220
наличие: шт
Код товара: 23161
Артикул: FD312S
CLA30E1200HB, Тиристор 1200В 30А 28мА
наличие: шт
Код товара: 22954
Артикул: CLA30E1200HB