FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

Код товара: 1076
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 555
смотреть полные характеристики
11700,00 
наличие:
Выберите количество:
Описание Модуль Trans IGBT N-CH 1200 В 100 А 555000 мВт 7-к Характеристики

Категория Транзистор
Тип модуль
Вид IGBT
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 555
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус AG-34MM
Вес, г 160
PM200DV1A120, IGBT модуль 1200В 200A V1 серия
наличие: шт
Код товара: 10268
Артикул:
41140,00 
В корзину
Конд.кер.диск. 12 пФ х 50В, NPO, +/-5%
наличие: шт
Код товара: 29639
Артикул:
HF300H170, Модуль силовой IGBT 1700В/300A
наличие: шт
Код товара: 8607
Артикул: HF300H170
14110,00 
В корзину
PM50CL1B120#300G, модуль IPM L1-Series 50А 1200В
наличие: шт
Код товара: 4232
Артикул: PM50CL1B120#300G
12920,00 
В корзину
ТА 92 127/220-50, Трансформатор
наличие: шт
Код товара: 14262
Артикул:
1860,00 
В корзину
DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC
наличие: шт
Код товара: 3150
Артикул: DFS02FB12HDB1
363600,00 
В корзину
PS11032, IGBT модуль 0.2кВт 220В 1/3 фаз
наличие: шт
Код товара: 4456
Артикул: PS11032
2970,00 
В корзину
ТА 89 220-50, Трансформатор
наличие: шт
Код товара: 14180
Артикул:
3650,00 
В корзину
ТИМ-127В, Трансформатор
наличие: шт
Код товара: 14583
Артикул: