F475R06W1E3BOMA1, Trans IGBT Module N-CH 600V 100A 275W 15-Pin EASY1B-1 Tray

Код товара: 16846
Артикул: F475R06W1E3BOMA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Automotive No
Channel Type N
Configuration Quad
ECCN (US) EAR99
смотреть полные характеристики
15370,00 
наличие:
Выберите количество:
Diodes, Transistors and ThyristorsIGBT TransistorsIGBT Module

Модуль Trans IGBT N-CH 600 В 100 А 275000 мВт 15-контактный лоток EASY1B-1

Основные параметры
Automotive No
Channel Type N
Configuration Quad
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 600
Maximum Continuous Collector Current (A) 100
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) 0.4
Maximum Gate Emitter Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 275000
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Screw
Packaging Tray
Part Status Active
PCB changed 15
Pin Count 15
PPAP No
Supplier Package EASY1B-1
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) 1.45
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 100 A
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
Maximum Power Dissipation 275 W
Number of Transistors 4
MJE253G, Транзистор PNP 100В 4А [TO-126]
наличие: шт
Код товара: 33778
Артикул: MJE253G
ТП112-1 (ТП132-1), Трансформатор, 6В, 1.2А
наличие: шт
Код товара: 1026
Артикул: ТП112-1 (ТП132-1)
2SC5103TLQ, Транзистор NPN 60 В 5 А [CPT-3]
наличие: шт
Код товара: 16127
Артикул: 2SC5103TLQ
MJD122, Транзистор NPN – Darlington 100В 8A 1.5Вт [DPAK]
наличие: шт
Код товара: 33326
Артикул: MJD122
HFGM450A 1200V, Модуль силовой IGBT 1200В/450A
наличие: шт
Код товара: 9073
Артикул: HFGM450A 1200V
11250,00 
В корзину
ОСМ1-0.1 380/5-12, Трансформатор
наличие: шт
Код товара: 13425
Артикул:
1030,00 
В корзину