Каталог

DFS05HF12EYR1, SiC модуль 1200В 150A полумост E0

Код товара: 3236
Артикул: DFS05HF12EYR1
В сравнение В избранное
DFS05HF12EYR1, SiC модуль 1200В 150A полумост E0
DFS05HF12EYR1, SiC модуль 1200В 150A полумост E0
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Структура модуля полумост
смотреть полные характеристики
24790,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Структура модуля полумост
ТТП-15 (10В, 1.5А), Трансформатор тороидальный, 10В, 1.5А
наличие: шт
ТТП-15 (10В, 1.5А), Трансформатор тороидальный, 10В, 1.5А
Код товара: 4625
Артикул: ТТП-15 (10В, 1.5А)
1850,00 ₽
В корзину
DFI600SU17DF1, Модули IGBT, 600 A, 1700 V 62mm, Single
наличие: шт
DFI600SU17DF1, Модули IGBT, 600 A, 1700 V 62mm, Single
Код товара: 3034
Артикул: DFI600SU17DF1
10430,00 ₽
В корзину