DFS05HF12EYR1, SiC модуль 1200В 150A полумост E0

Код товара: 3236
Артикул: DFS05HF12EYR1
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Структура модуля полумост
смотреть полные характеристики
24790,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Структура модуля полумост
FS75R12KE3BOSA1, Модуль IGBT 1200V 105A 350Вт
наличие: шт
Код товара: 1236
Артикул: FS75R12KE3BOSA1
21920,00 
В корзину
ТП1207, Трансформатор, 2Х12В, 0.45А
наличие: шт
Код товара: 2024
Артикул: ТП1207
ТП1208, Трансформатор, 2Х17В, 0.30А
наличие: шт
Код товара: 2056
Артикул: ТП1208
ТП1206, Трансформатор, 2Х10В, 0.5А
наличие: шт
Код товара: 1992
Артикул: ТП1206
ТП114-2, Трансформатор, 9В, 1.47А
наличие: шт
Код товара: 1496
Артикул: ТП114-2
ТП1201, Трансформатор, 6В, 1.8А
наличие: шт
Код товара: 1832
Артикул: ТП1201
ТП1202, Трансформатор, 9В, 1.2А
наличие: шт
Код товара: 1864
Артикул: ТП1202
ТА 4 220-400, Трансформатор
наличие: шт
Код товара: 14018
Артикул:
F471K33Y5RP6UK5R, Конденсаторы
наличие: шт
Код товара: 31136
Артикул: F471K33Y5RP6UK5R
ТИМ-68В, Трансформатор
наличие: шт
Код товара: 14963
Артикул: