DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC

Код товара: 3150
Артикул: DFS02FB12HDB1
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля 3-х фазный
смотреть полные характеристики
363600,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля 3-х фазный
М3000НМС, Ш12х15 (1 шт.), Сердечник ферритовый Ш-образный
наличие: шт
Код товара: 5987
Артикул: М3000НМС, Ш12х15 (1 шт.)
MCR8SNG, Тиристор 800В 8А 200мкА (Логический уровень)
наличие: шт
Код товара: 23912
Артикул: MCR8SNG
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 62 кОм, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 5173
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 62 кОм, 5%
VTr.654.N.0418, Соединитель резьба вн.-штуцер 1/2″х18 62269
наличие: шт
Код товара: 7448
Артикул: VTr.654.N.0418
MCR106-6G, Тиристор, 400В, Ifмакс: 4А, 2,55А, Igt: 0,2мА, TO2
наличие: шт
Код товара: 4591
Артикул: MCR106-6G
LM-LP-1001L, Трансформатор согласующий
наличие: шт
Код товара: 16764
Артикул: LM-LP-1001L
X4C35J1-02G
наличие: 183260 шт
Код товара: 38016
Артикул: aa36007d3045