Каталог

DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC

Код товара: 3150
Артикул: DFS02FB12HDB1
В сравнение В избранное
DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC
DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля 3-х фазный
смотреть полные характеристики
363600,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля 3-х фазный
FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт
наличие: шт
FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт
Код товара: 1076
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
11700,00 ₽
В корзину
FF300R12KT4, Полумост БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 300А, P 1,6кВт, Ifsм 600А, винтами
наличие: шт
FF300R12KT4, Полумост БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 300А, P 1,6кВт, Ifsм 600А, винтами
Код товара: 18609
Артикул:
14940,00 ₽
В корзину
FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
наличие: шт
FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
Код товара: 7185
Артикул: FF200R12KE3HOSA1
19380,00 ₽
В корзину