DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC

Код товара: 3150
Артикул: DFS02FB12HDB1
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля 3-х фазный
смотреть полные характеристики
363600,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля 3-х фазный
ISO7721FBDWR, Digital Isolators Robust EMC, dual-channel, 1/1, reinforced digital isolator 16-SOIC -55 to 125
наличие: шт
Код товара: 35496
Артикул: ISO7721FBDWR
1N5349BRLG, Стабилитрон 12В 5% 5Вт [CASE 017AA]
наличие: шт
Код товара: 2068
Артикул: 1N5349BRLG
Мультиплексор Raisecom OPCOM100-2C-OTM-3R-Gb-SLR/AC
наличие: шт
Код товара: 23348
Артикул: OPCOM100-2C-OTM-3R-Gb-SLR/AC
550705,00 
В корзину
Аккумулятор CS-SMG965XL для Samsung Galaxy S9 Plus
наличие: шт
Код товара: 15939
Артикул:
ISO7720FDWR, Digital Isolators Robust EMC, dual-channel, 2/0, reinforced digital isolator 16-SOIC -55 to 125
наличие: шт
Код товара: 35406
Артикул: ISO7720FDWR
1N5388BG, Стабилитрон 200В 5Вт [CASE 017AA]
наличие: шт
Код товара: 2329
Артикул: 1N5388BG
T405-800B-TR, Симистор, 800В, 4А, 5мА, SMD, DPAK
наличие: шт
Код товара: 4855
Артикул: T405-800B-TR