Каталог

DFI600HF17I4RE1, (IGBT Модуль 1700В, 600А), IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой

Код товара: 7023
Артикул: DFI600HF17I4RE1
В сравнение В избранное
DFI600HF17I4RE1, (IGBT Модуль 1700В, 600А), IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой
DFI600HF17I4RE1, (IGBT Модуль 1700В, 600А), IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Вес, г 420
смотреть полные характеристики
19640,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой

Основные параметры
Вес, г 420
Аккумуляторная батарея EB-BT710ABA для Samsung Galaxy Tab S2 8.0 T710, T715 3.8V 3900mAh
наличие: шт
Аккумуляторная батарея EB-BT710ABA для Samsung Galaxy Tab S2 8.0 T710, T715 3.8V 3900mAh
Код товара: 5139
Артикул:
950,00 ₽
В корзину
Аккумулятор L18D1P32 для планшета Lenovo Tab M10 Plus TB-X606X 3.86V 4850mAh
наличие: шт
Аккумулятор L18D1P32 для планшета Lenovo Tab M10 Plus TB-X606X 3.86V 4850mAh
Код товара: 22866
Артикул: L19D1P32, L18D1P32, CS-LVX606SL, SB18C59875, SB18C
1600,00 ₽
В корзину
FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
наличие: шт
FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
Код товара: 7185
Артикул: FF200R12KE3HOSA1
19380,00 ₽
В корзину
BLM31KN271SN1L, Феррит: бусина; Импед. 100МГц: 270Ом; SMD; 3А; 1206; R: 0,016Ом
наличие: шт
BLM31KN271SN1L, Феррит: бусина; Импед. 100МГц: 270Ом; SMD; 3А; 1206; R: 0,016Ом
Код товара: 21374
Артикул: BLM31KN271SN1L
44,00 ₽
В корзину
Аккумуляторная батарея HB2899C0ECW для Huawei MediaPad M3, M5 8.4″ 3.82V 5100mAh
наличие: шт
Аккумуляторная батарея HB2899C0ECW для Huawei MediaPad M3, M5 8.4″ 3.82V 5100mAh
Код товара: 5623
Артикул:
870,00 ₽
В корзину