Производитель | Leapers Semiconductor |
Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
Структура модуля | полумост |
кол-во в упаковке | 10 |
IGBT Модуль 1200В, 600А, полумостовой
Основные параметры | |
Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
Структура модуля | полумост |
кол-во в упаковке | 10 |