DFI600HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3

Код товара: 2946
Артикул: DFI600HF12I4ME1
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Структура модуля полумост
кол-во в упаковке 10
смотреть полные характеристики
15560,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули

IGBT Модуль 1200В, 600А, полумостовой

Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Структура модуля полумост
кол-во в упаковке 10
SU9HF-02100
наличие: 1000 шт
Код товара: 36830
Артикул: 53e8099e897d
Предохранитель керамический быстродействующий 3,0×7мм, 0.10А, 350В, ВП4-8; №10126F пред 3,0x 7 0,10А350Вбыстр кер2LW17ВП4-8
наличие: шт
Код товара: 31020
Артикул: №10126F пред 3,0x 7\ 0,10А\350В\быстр\кер\2LW17\В
Предохранитель керамический 6,0×30мм, 4.0А,250В,KF-0460D; №2963 пред 6,0×30 4,0А250В кер2CKF-0460D
наличие: шт
Код товара: 30570
Артикул: №2963 пред 6,0x30\ 4,0А\250В\ \кер\2C\KF-0460D\
CM150DX-34SA, Биполярный транзистор IGBT, 150 А, 1700 В
наличие: шт
Код товара: 6731
Артикул:
5370,00 
В корзину
Конденсатор керамический 2200 пФ 100013x 4x 92L30(2,2nFM1000); к 2200 пФ 100013x 4x 9\\2L30\(2,2nFM1000)
наличие: шт
Код товара: 11281
Артикул: к 2200 пФ\ 1000\13x 4x 9\\\\2L30\\(2,2nFM1000)
ТП121-2, Трансформатор, 6В, 0.75А
наличие: шт
Код товара: 2357
Артикул: ТП121-2
L296P
наличие: шт
Код товара: 30202
Артикул: