Каталог

DFI600HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3

Код товара: 2946
Артикул: DFI600HF12I4ME1
В сравнение В избранное
DFI600HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3
DFI600HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Структура модуля полумост
кол-во в упаковке 10
смотреть полные характеристики
15560,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули

IGBT Модуль 1200В, 600А, полумостовой

Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Структура модуля полумост
кол-во в упаковке 10
FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт
наличие: шт
FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт
Код товара: 1076
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
11700,00 ₽
В корзину
FF300R12KT4, Полумост БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 300А, P 1,6кВт, Ifsм 600А, винтами
наличие: шт
FF300R12KT4, Полумост БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 300А, P 1,6кВт, Ifsм 600А, винтами
Код товара: 18609
Артикул:
14940,00 ₽
В корзину
FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
наличие: шт
FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
Код товара: 7185
Артикул: FF200R12KE3HOSA1
19380,00 ₽
В корзину
DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC
наличие: шт
DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC
Код товара: 3150
Артикул: DFS02FB12HDB1
363600,00 ₽
В корзину