DFI450HF12I4ME1, IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой

Код товара: 6910
Артикул: DFI450HF12I4ME1
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Корпус ECONOD-3
кол-во в упаковке 10
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
смотреть полные характеристики
12670,00 
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой

Основные параметры
Корпус ECONOD-3
кол-во в упаковке 10
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Вес, г 350
DFI300HF12DF1, Модули IGBT, 300 A, 1200 V 62mm, Half Bridge
наличие: шт
Код товара: 2725
Артикул: DFI300HF12DF1
8810,00 
В корзину
PM50CL1B120#300G модуль IGBT (L1 серия) Mitsubishi
наличие: шт
Код товара: 5641
Артикул:
79860,00 
В корзину
PM100CVA120, модуль 6 IGBT 1200В 100A 3 поколение В серия
наличие: шт
Код товара: 4058
Артикул: PM100CVA120
12390,00 
В корзину