DFI450HF12I4ME1, IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой

Код товара: 6910
Артикул: DFI450HF12I4ME1
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Корпус ECONOD-3
кол-во в упаковке 10
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
смотреть полные характеристики
12670,00 
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой

Основные параметры
Корпус ECONOD-3
кол-во в упаковке 10
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Вес, г 350
Тиристор 50 В, 10 А ,корпус SD1, Д235А
наличие: шт
Код товара: 8228
Артикул: Тиристор\ 50 \ 10А\SD1\Д235А\
Камера задняя (основная) для iPhone 5
наличие: шт
Код товара: 27358
Артикул:
CM50BU-24H 50A 1200В модуль 4 IGBT (3 поколение, U серия) Mitsubishi
наличие: шт
Код товара: 5027
Артикул: CM50BU-24H
37460,00 
В корзину