Каталог

DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 300A полумост ED3

Код товара: 2770
Артикул: DFI300HF12I4ME1
В сравнение В избранное
DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 300A полумост ED3
DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 300A полумост ED3
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
смотреть полные характеристики
9920,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
кол-во в упаковке 10
2SD1525, Транзистор биполярный, NPN, Ic=30А, Vceo=100В, Vcbo=100В, Pd=150Вт , hFE= =1k [TO-3PL]
наличие: шт
2SD1525, Транзистор биполярный, NPN, Ic=30А, Vceo=100В, Vcbo=100В, Pd=150Вт , hFE= =1k [TO-3PL]
Код товара: 18059
Артикул: 2SD1525
1220,00 ₽
В корзину
2SD1802 (TO-252), Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=50В, Vcbo=60В, Pd=15Вт, hFE= 100…560 [TO-252]
наличие: шт
2SD1802 (TO-252), Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=50В, Vcbo=60В, Pd=15Вт, hFE= 100…560 [TO-252]
Код товара: 18549
Артикул: 2SD1802 (TO-252)
120,00 ₽
В корзину
Головка звукоснимателя магнитная, размер 12x 8x17m23, тип моно, контакты 2C, 3Д12.222
наличие: шт
Головка звукоснимателя магнитная, размер 12x 8x17m23, тип моно, контакты 2C, 3Д12.222
Код товара: 11607
Артикул: ГЗМ 12x 8x17m23\моно\2C\3Д12.222\
750,00 ₽
В корзину
ТП112-11 (ТП132-11), Трансформатор, 2х15В, 0.24А
наличие: шт
ТП112-11 (ТП132-11), Трансформатор, 2х15В, 0.24А
Код товара: 1074
Артикул: ТП112-11 (ТП132-11)
840,00 ₽
В корзину