Каталог

DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 300A полумост ED3

Код товара: 2770
Артикул: DFI300HF12I4ME1
В сравнение В избранное
DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 300A полумост ED3
DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 300A полумост ED3
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
смотреть полные характеристики
9920,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
кол-во в упаковке 10
Стабилитрон, напряжение 7,5 В, мощность 0,15 Вт, марка КС175А
наличие: шт
Стабилитрон, напряжение 7,5 В, мощность 0,15 Вт, марка КС175А
Код товара: 36184
Артикул: Дстаб 7,5\0,15Вт\КС175А\
50,00 ₽
В корзину
Кольцо уплотнительное на ЗУ SAECO NM01.035
наличие: шт
Кольцо уплотнительное на ЗУ SAECO NM01.035
Код товара: 1374
Артикул:
48,00 ₽
В корзину
406J112D51401, Силовой плёночный конденсатор для DC цепей 40мкФ + 5% 1100В
наличие: шт
406J112D51401, Силовой плёночный конденсатор для DC цепей 40мкФ + 5% 1100В
Код товара: 13846
Артикул: 406J112D51401
2790,00 ₽
В корзину
Тиристор 300 В, 0,001 А ,корпус DIP-8, КУ103В1
наличие: шт
Тиристор 300 В, 0,001 А ,корпус DIP-8, КУ103В1
Код товара: 7517
Артикул: Тиристор\ 300 \ 0,001А\DIP-8\КУ103В1\
66,00 ₽
В корзину
CM75TU-24F, Биполярный транзистор IGBT, 75A, 1200V
наличие: шт
CM75TU-24F, Биполярный транзистор IGBT, 75A, 1200V
Код товара: 6820
Артикул: CM75TU-24F
17650,00 ₽
В корзину
Тиристор 400 В, 5 А ,корпус TO-220, AC05DGM
наличие: шт
Тиристор 400 В, 5 А ,корпус TO-220, AC05DGM
Код товара: 7934
Артикул: Тиристор\ 400 \ 5А\TO-220\AC05DGM\
290,00 ₽
В корзину