DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 300A полумост ED3

Код товара: 2770
Артикул: DFI300HF12I4ME1
Характеристики
Производитель Leapers Semiconductor
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
смотреть полные характеристики
9920,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
кол-во в упаковке 10
IGCM10F60GAXKMA1, 3х фазный IGBT модуль, 600В, 10А [DIP 36×21]
наличие: шт
Код товара: 1410
Артикул: IGCM10F60GAXKMA1
1220,00 
В корзину
B66371-G-X187, N87, E70/33/32 (1 шт.), Сердечник ферритовый
наличие: шт
Код товара: 12054
Артикул: B66371-G-X187, N87, E70/33/32 (1 шт.)
1380,00 
В корзину
C0603C332J5RACTU, Ceramic Capacitor 4000pcs (Reel) 3.3nF, 50VDC, 0603, A±5 %
наличие: шт
Код товара: 33176
Артикул: C0603C332J5RACTU