Каталог

DF150R12RT4, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А

Код товара: 6866
Артикул: DF150R12RT4
В сравнение В избранное
DF150R12RT4, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А
DF150R12RT4, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Корпус 34 mm
Вес, г 178.6
смотреть полные характеристики
4930,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А

Основные параметры
Корпус 34 mm
Вес, г 178.6
DFI300HF12DF1, Модули IGBT, 300 A, 1200 V 62mm, Half Bridge
наличие: шт
DFI300HF12DF1, Модули IGBT, 300 A, 1200 V 62mm, Half Bridge
Код товара: 2725
Артикул: DFI300HF12DF1
8810,00 ₽
В корзину
PM50CL1B120#300G модуль IGBT (L1 серия) Mitsubishi
наличие: шт
PM50CL1B120#300G модуль IGBT (L1 серия) Mitsubishi
Код товара: 5641
Артикул:
79860,00 ₽
В корзину