Производитель	ON Semiconductor***
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	15

Основные параметры
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	83
Корпус	to-220
Вес, г	2.5

D44VH10G, Транзистор NPN 80В 15А [TO-220AB]