CM900DUC-24S, IGBT модуль 900А 1200В

Код товара: 2321
Артикул: CM900DUC-24S
Характеристики
Производитель Mitsubishi
Защита от перегрева нет
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 900
Структура модуля полумост
смотреть полные характеристики
33850,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Защита от перегрева нет
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 900
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Кварцевый генератор 19440, SMD05032C4, 3,3В, MTE3025AVCTCXO
наличие: шт
Код товара: 21724
Артикул: гк 19440 \VCTCXO\SMD05032C4\ \3,3В\MTE3025A\NDK
Кварцевый генератор 19200, SMD05032C8-4, T19,20W2C2TCXO
наличие: шт
Код товара: 21171
Артикул: гк 19200 \TCXO\SMD05032C8-4\ \\T19,20W2C2\DELTA
BTW69-1200RG, Тиристор 1200В 50А 80мА
наличие: шт
Код товара: 22750
Артикул: BTW69-1200RG
CMA30E1600PN, Тиристор 1600 В 50 А
наличие: шт
Код товара: 23090
Артикул: CMA30E1600PN
B82801A1134A040, EE4.2, Трансформатор SMT, 132 мкГн, 1:40
наличие: шт
Код товара: 17490
Артикул: B82801A1134A040, EE4.2
Кварцевый генератор 19800, SMD07050C4, 3В, TTS12V, SINVCTCXO
наличие: шт
Код товара: 22200
Артикул: гк 19800 \VCTCXO\SMD07050C4\SIN\3В\TTS12V\TEW
MCR100-6G, Weida тиристор, 600 В, 0.8 А, TO-92
наличие: шт
Код товара: 4458
Артикул:
Кварцевый генератор 19200, SMD05032C4, 3В, NT5032S, SINVCTCXO
наличие: шт
Код товара: 21101
Артикул: гк 19200 \VCTCXO\SMD05032C4\SIN\3В\NT5032S\NDK
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 4.7 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 34956
Артикул: MO-200 (С2-23) 2 Вт, 4.7 Ом, 5%