CM75E3U-12H 75A 600В модуль 3 IGBT (3 поколение, U серия) Mitsubishi

Код товара: 5157
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель Mitsubishi
Защита от перегрева нет
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Структура модуля одиночный транзистор
смотреть полные характеристики
3790,00 
наличие:
Выберите количество:
Модули IGBT
Основные параметры
Защита от перегрева нет
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Структура модуля одиночный транзистор
Каркас Индуктивности 8x 9x19m(29x29x27) мм, FWBEE3002H
наличие: шт
Код товара: 32400
Артикул: 14330 индук каркас\ 8x 9x19m(29x29x27)\12P\пл\FWBE
SNR-1407A-05, Излучатель пьезокерамический без генератора
наличие: шт
Код товара: 9065
Артикул: SNR-1407A-05, Излучатель пьезокерамический без ген
CMF2012F-361-2P-T, Синфазный индуктивный фильтр , 360 Ом, 0.28 А, 0.4 Ом, корпус 0805
наличие: шт
Код товара: 13445
Артикул: CMF2012F-361-2P-T, Синфазный индуктивный фильтр ,
PM50RVA120 50A 1200B модуль 7 IGBT (3 поколение, B серия) Mitsubishi
наличие: шт
Код товара: 5729
Артикул:
9590,00 
В корзину