CM75E3U-12H, модуль 3 IGBT 600В 75А 3 поколение U серия

Код товара: 2207
Артикул: CM75E3U-12H
Характеристики
Производитель Mitsubishi
Защита от перегрева нет
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Структура модуля одиночный транзистор
смотреть полные характеристики
2920,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули
Основные параметры
Защита от перегрева нет
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Структура модуля одиночный транзистор
NSI8241C1-DSWR, Изолятор цифровой 4-х канальный (3 к 1)
наличие: шт
Код товара: 28194
Артикул: NSI8241C1-DSWR
CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия
наличие: шт
Код товара: 2163
Артикул: CM450HA-5F
6100,00 
В корзину
B65887-E-R87, N87, RM14, Сердечник ферритовый, 2 штуки
наличие: шт
Код товара: 10626
Артикул: B65887-E-R87, N87, RM14
CM300DY-13T#300G модуль IGBT (T серия, STD типа) Mitsubishi
наличие: шт
Код товара: 4851
Артикул: CM300DY-13T#300G
46470,00 
В корзину
Тиристор 600 В, 4 А ,корпус TO-126, MCR106-8G
наличие: шт
Код товара: 9310
Артикул: Тиристор\ 600 \ 4А\TO-126\MCR106-8G\