Home
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
IGBT
CM450HA-5F 450A 250В модуль 1 IGBT (4 поколение, F серия) Mitsubishi

CM450HA-5F 450A 250В модуль 1 IGBT (4 поколение, F серия) Mitsubishi

Код товара: 4983

Артикул: N/A

CM450HA-5F 450A 250В модуль 1 IGBT (4 поколение, F серия) Mitsubishi

Характеристики

Производитель	Mitsubishi
Входная емкость затвора,нФ	132
Драйвер управления	VLA503
Защита от короткого замыкания	нет
Защита от перегрева	нет

смотреть полные характеристики

52080,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

Модули IGBT

F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость. Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех. Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.

Основные параметры
Входная емкость затвора,нФ	132
Драйвер управления	VLA503
Защита от короткого замыкания	нет
Защита от перегрева	нет
Защита от пониженного напряжения питания	нет
Защита по току	нет
Макс.напр.к-э,В	250
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	735
Максимальная частота модуляции,кГц	20
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	4
Максимальный ток эмиттера, А	900
Напряжение изоляции, В	2500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	1.2
Напряжение эмиттер-коллектор,В	1.85
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	450
Структура модуля	одиночный транзистор
Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах