CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия

Код товара: 1964
Артикул: CM400DY-12NF
Характеристики
Производитель Mitsubishi
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 200
Входная емкость затвора,нФ 60
Драйвер управления VLA503
Защита от короткого замыкания нет
смотреть полные характеристики
21770,00 
наличие:
Выберите количество:
Силовые IGBTи SiC модули

IGBT модули серии NF представляют 5-ое поколение модулей Mitsubishi. Они предназначены для высоковольтной коммутации в составе силовых приводов асинхронных двигателей и высокочастотных преобразователей. Применяемые для их создания усовершенствованные технологии позволяют получить низкие напряжения насыщения и высокую скорость переключения, необходимые для функционирования на частотах до 20 кГц. 5-ое поколение модулей представляет синтез двух передовых технологий: технологии изготовления кристалла CSTBT и LPT пластины. Отличительные особенности NF-модулей: – повышенная стойкость к короткому замыканию, – малая емкость затвора, – низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, – стандартный корпус (аналог популярной H-серии), – устойчивость к коротким замыканиям, – улучшенная теплопроводность подложки из AlN, – внутренняя индуктивность снижена в два раза по сравнению с H-серией. Область применения: – Инверторы – Системы вторичного электропитания – Производство электроэнергии; ветро и солнечные электростанции. – Электросварочное оборудование – Системы электроприводов

Основные параметры
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 200
Входная емкость затвора,нФ 60
Драйвер управления VLA503
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Защита по току нет
Макс.напр.к-э,В 600
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 1130
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Максимальный ток эмиттера, А 800
Напряжение изоляции, В 2500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.7
Напряжение эмиттер-коллектор,В 1.7
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Вес, г 466